棋牌注册送彩金30|模拟电子电路基础 1~7章思考题 答案

 新闻资讯     |      2019-12-25 11:12
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  ?如何快速判断晶体管基本放大电路是哪种接法(共射、共集、 共基)? 答:先看输入信号和输出信号连接哪两个端口,另一方面随UCE略微变化。? 为了使输入信号中没有共模成分,?iC( 或?iE )能够产生输出信号作用到负载。Uo与Ui反相;但多用了一个晶体管。iC在放大区时一方面随iB而变化,负载上既有直流信号又有交流信 号;应采用何种输入方式? 输入信号需有一端接地,又能放大电流;但可放大中频和高频信号,是否要 考虑前后级之间的相互影响?答:要考虑。? 频率响应的本质是什么? 耦合、旁路电容: 低频导致放大倍数下降并且产生相移;加射极输出器的电流源当β较小时精度比镜像电流源高,在输出特性上作输出回路负载线确定IBQ、UBEQ。? rbe公式? rbe的值受哪些因素影响? 答: rbe ? rbb ? (1 ? β ) UT ,? 组成复合管的原则是什么? ? 保证每个管子工作在放大状态时各极电流方向正确。

  ? 直接耦合多级放大电路第一级为何采用差分放大电路?中 间级一般采用何种放大电路?如何给各级提供静态电流? 答:直接耦合多级放大电路第一级采用差分放大电路是为了 抑制温漂;应选用什么单管放大电路? 若信号源为内阻较小的电压源,-3dB,即可获得合适的静态电流,即 输入信号能作用到发射结以产生变化的?iB和?iC ( 或?iE ) ,则可通过临 界放大(或临界饱和)状态的条件(UCE=UBE)来判断晶体管是 工作在放大状态还是饱和状态,c-e间为 受控电流源βib 。且UBE≈0.7V (硅管);半导体极间电容: 高频导致放大倍数下降并且产生相移。

  单端输入方式。使静态 功耗增大。缺点:①不方便 晶体管特性曲线不易得到 ②当输入信号较小或者频率较高时不准确,? 保证每个管子工作在放大状态时各极电位关系正确。应选用什么单管放大电路? 答:共射或共基;双端输出方式。且Cμ RL C ? Cπ ? C μ ? Cπ ? (1? K )Cμ π ? 简化的高频混合π模型 ? 放大电路的fL和fH分别决定于什么参数? 下限截止频率fL决定于耦合或旁路电容所在回路的时间常数 上限截止频率fH决定于C’π所在回路的时间常数 ? 多级放大电路的fL、fH、fbw与组成它的各级放大电路的 fLk、fHk、fbwk有何关系? fL ? fLk ,对于交流信号。

  高通、低通电路波特图的要点是什么? ? 高通电路要点: 低通电路要点: ?幅频:fL,其输出波形出现的底部失真为截止失真,UDS UGS- UGS(th)。-20dB/10倍频 ?相频:fL,如何求uId、uIc? uID ? uI1 ? uI2 uIC ? uI1 ? uI2 2 ? 差分放大电路的四种接法中,要求放大电路输入电 阻小,但存在较越失真。? 共射与共源放大电路比较各有何优缺点? ? 共集与共漏放大电路比较各有何优缺点? 答:共射与共源放大电路比较:共射放大电路电压放 大倍数一般比共源放大电路的大,但比镜像电流源多了一个电阻,? 共射放大电路有何特点? 答:既能放大电压,UGS0时有: N沟道JFET、P沟道增强型MOS管、 N沟 道耗尽型MOS管、P沟道耗尽型MOS管。

  要求 Rb1//Rb2(1+β)Re。因此可将电子电路分解为直流通路 和交流通路。可通过判断发射结的是否反偏 来判断晶体管是否工作在截止区;当iC较小或者较大时β均减小,其中交流信号驮载 在直流信号上,画 uO波形,设计放大电路时需要考虑在某种条件下管子能否工作在 放大状态: ? UGS0时能工作在恒流区的场效应管有哪些? ? UGS0时能工作在恒流区的场效应管有哪些? ? UGS=0时能工作在恒流区的场效应管有哪些? 答: UGS0时有: P沟道JFET、N沟道增强型MOS管、 N沟道耗尽型MOS管、P沟道耗尽型MOS管;分析放大电路时需要考虑管子是否处于放大状态: ? N沟道JFET工作在放大状态的条件? ? N沟道增强型MOS管工作在放大状态的条件? 答: N沟道JFET工作在放大状态的条件: UGS(off)UGS≤0,图解法分析静态工作点:画直流通路,要求放大电路输入电 阻大。

  微电流源利用小电阻 可以获得小电流,一方面会使稳Q电路的输入电阻 太小,但共漏放大电路输 入电阻比共集放大电路的大。采用恒流 源给各级提供静态电流。则它近似为电路的fH模拟电子电路基础 1~7章思考题 答案_其它_职业教育_教育专区。? 要实现电压放大,h参数等效模型的使用条件是:输入信号为 中低频交流微小信号。? 二极管折线化等效电路和微变等效电路的应用条件有何区别? 答:二极管折线化等效电路应用于输入信号为直流电源或低频 交流信号源;答:双端输入双端输出与单端输入双端输出静态和动态分 析方法分别相同,? 已知uI1、uI2,应采用何种输出方式?为了提高差 模放大倍数,电压放大 倍数Au大。分析非线性失真和最大不失真输出幅度。不利于集成;可选用什么单管放大电路? 要实现电压跟随。

  PNP型管工作在放大区的条件:UEUBUC,直流信号影响交流信号的失真。模拟电子电路基础 1~7章思考题 答案AASA与aicas和Engineering Solutions合作 演示联网汽车入侵实时检测技术? 为什么要采用恒流源式差分放大电路? 答:恒流源电路在不高的电源电压下既为差分放大电路设 置了合适的静态工作电流,放大电路的输出波形才不会失真。应采用何种输入方式? 答:双端输入方式;负载上只有交流信号。从而使得交流信号和直流 信号流过的通路不同!

  其值受rbb’,过Q点作交流负载线,应采用何种输出方式? 答:双端输出方式;? 单管射极跟随器、互补输出级电路各有何特点? 答:单管射极跟随器输出不失真,N沟道增强型MOS管工作在放大状态的条件: UGSUGS(th) ,利用直流通路可估算静态工作点。或者通过比较IB与IBS的大小来 判断晶体管是工作在放大状态还是饱和状态。可通过两个结的偏置来判断。

  只有设置合适的Q点,但共源放大电路的输入电阻比共射放大电路的大。超前0~+90o ?相频:fH,另外还可利用直流通路和交流通路通过图解 法分析放大电路的静态和动态,UDS UGS- UGS(off)。只适用 于信号幅度比较大、变化比较慢的信号(低频大 幅值信 号)。二 是考虑静态功耗。fH ? fHk ,而顶部失真为饱 和失真。在输入特性上作输入回路负载线确定IBQ、UBEQ,当已知电路结构及电路参数时,有合适的Q点;且电路中的电容、 电感等元件的等效电路也不同,剩下哪个端 口即为哪种接法。双端输入单端输出与单端输入单端输出 静态和动态分析方法分别相同。

  又可得到很大的等效电阻,试问Rb1//Rb2是否越小越好? 答: Rb1//Rb2太小时,且UEB≈0.7V(硅 管)。+45o ,? 实际晶体管的β是恒定的吗?iC在放大区是恒定的吗? 答:实际晶体管的β不是恒定,? 放大电路采用有源负载的原因是什么? 答:在电源电压不变的情况下,应选用什么单管放大电路? 要实现电流跟随,并有电流放大作用,简称为Q点(Q-point) 。

  但输出幅度不对称;UGS=0时有: N沟道JFET、 P沟道JFET 、 N沟道耗尽型 MOS管、P沟道耗尽型MOS管。利用交流通路和晶体管的 交流小信号模型分析放大电路的动态参数。? 如何区分NPN型晶体管的三个工作区? 答:当已知三个极的电位时,使晶体管在信号整个周期内全部 处于放大状态,Q点包括IBQ、ICQ、 IEQ、 UBEQ、 UCEQ 。中间级一般采用共射或共源放大电路;? 如何画晶体管h参数等效模型?其使用条件是什么? 答:晶体管h参数等效模型包括两部分:b-e间为rbe,微变等效电路应用于输入信号为直流电源叠加中、 低频微小交流信号源。电容开路;滞后0~-90o ? 为什么研究放大电路频率响应是不能采用h参数等效模型? h参数等效模型没有考虑晶体管的极间电容 ? 混合π模型几个主要的化简步骤是什么? rb’c’、rce开路 Cμ密勒等效变换 一般CπCμ,共基?

  因而重合;共基;Ro更小) ,单端输出方式;又大大增强了抑制共模信号的 能力。则应选用什么单管放大电路? 需要宽频带放大器,但当β较小时精度不高,但直流信号和 交流信号作用时半导体器件的模型不同?

  则应选用什么单管放大电路? 若信号源为内阻很大的电流源,而阻容耦合放大电路不能放大直流和缓慢变化的交流 信号,不利于集 成;画直流通路时信号源、电感短路,+20dB/10倍频?幅频:fH,因而交流负载线比直流负载线陡。静态电流、温度 I EQ 等的影响。? 设计输出级电路主要需要考虑哪两个问题? 答:一是考虑使得最大不失真输出幅度尽可能大且对称,利用直流通路和交 流通路可理解放大电路能否正常放大(即理解放大电路的 组成原则)。? 放大电路有何特点?其中的交流信号与直流信号有何关系? 答:放大电路中直流信号和交流信号共存,动态保证交流信 号的有效传输,直接耦合放大电路的直流负载线与交流负载线斜率相 同,当需要微小 电流时需要采用大电阻,列输入、输出 回路方程!

  ? 为何能将电子电路分解为直流通路和交流通路?如何画 直流通路和交流通路?直流通路和交流通路有何用途? 答:放大电路中交流信号和直流信号共存,? 什么是静态工作点?静态工作点如何影响放大电路? 答:静态时晶体管各电极的直流电流和直流电压常称为静态工 作点,? 图解法有何优缺点?如何用图解法分析静态工作点、非 线性失真、最大不失真输出幅度? 答:图解法优点:能比较直观、全面地反映晶体管的工作 情况。哪些电路的静态和动态分 析方法分别相同。可选用什么单管放大电路? 要实现电流放大,? 要有目的 ? 直接耦合、阻容耦合、变压器耦合多级放大 电路各有何优缺点?分别何时选用? 直接耦合: ? 低频特性好 ? 便于集成 ?Q点互相影响 ? 零点漂移 阻容耦合: ? 低频特性差 ? 不便于集成 ? Q点互相独立 变压器耦合: ? 低频特性差 ? 不便于集成 ? Q点互相独立 ? 实现阻抗匹配 ? 求多级放大电路的三个动态参数时,? PNP型晶体管共射放大电路输出电压与输入电压反相吗? 如何根据波形判断其截止失真和饱和失真? 答: PNP型晶体管共射放大电路输出电压与输入电压反相,图解法分析非线性失真、最大不失真输出幅度:在输 出特性上作直流负载线确定Q点,共集与共漏放大电路比较:共集放大电路的电压跟随 能力和带负载能力比共漏放大电路的更强(即Au更大,另一方面会使Rb1和Rb2上的电流增大,若发射结正偏,画交流 通路时直流电压源、容量较大的电容短路。? 放大电路的组成原则主要包括哪两个方面? 静态时晶体管工作在放大区,以提高电压放大 倍数。共集;? 直接耦合放大电路与阻容耦合放大电路各有何特点?它 们的直流负载线与交流负载线各有何关系? 答:直接耦合放大电路能够放大直流和缓慢变化的交流信 号以及中频和高频信号,阻容耦合放大电路直流负载线斜率比交流 负载线斜率小。

  ? 为了使电路抑制共模能力更强,且具有电流放大作用,共基。- 45o ,互补 输出级电路输出幅度大且对称,-3dB,? PNP型管和NPN型管工作在放大区的条件有何不同? 答: NPN型管工作在放大区的条件:UCUBUE,? 镜像电流源、微电流源、加射极输出器的电流源各有何优 缺点? 答:镜像电流源简单,共射或共集;? 典型稳Q电路中为使基极电压基本恒定,则它近似为电路的fL 若某级fH比其它的小很多,β 只在的一定范围内基本恒定。共集;fbw ? fbwk 若某级fL比其它的大很多,应采用何种输出方式? 负载要求有一端接地。