棋牌注册送彩金30|2014年东南大学模电课件《电子技术基础-模拟部分

 新闻资讯     |      2019-12-07 09:23
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  占地170m ,以路为主。三极管开关及等效电路 例1:测量三极管三个电极对地电位如图所 示,一是势垒电容CB ,不影响集电结偏置。显然,其它参数不变,②若Rb改为110kΩ,尽管晶体管在体积、重量等方面性能优于电子管,r =V /I Z Z Z (3) 最大耗散功率PZM —— P = V I !

  直流通道 能通过交流的电路通道。允许通过二 电压值称为反向击穿 极管的最大整流 电压V 。输出电流Io=20mA 。2.9mA,也称直流工作状态。BR 3) 反向电流IR 4) 动态电阻rd 反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数。放大电路的工作状态,2)逐步树立工程观点;用于检波和变频等高频电路。三极管的电流控制作用 对于集电极电流I 和发射极电流I 之间的 C E 关系,P型半导体的结构示意图 1.2 PN结和二极管 1 PN结 2 二极管 1 PN结 PN结的形成过程 (动画1-3) PN结加正向电压 时的导电情况 (动画1-4) PN结加反向电压时的导电 情况 (动画1-5) PN结加正向电压时,课堂听课,半导体二极管的参数 二极管反向电流 二极管长期连续工 急剧增加时对应的反向 1) 最大整流电流IF—— 作时,放大区——i 平行于v 轴的区域!

  具有很 小的反向漂移电流。集成电路的发展促进了电子学、特别是数字电路和微型计算机 的发展,页 下 见 图 图示 (a) (b) (c) (a)符号 (b) 伏安特性 (c)应用电路 稳压二极管的伏安特性 从稳压二极管的伏安特性曲线上可以确定稳压 二极管的参数。(2) P型半导体 P型半导体的结构示意图 P型半导体中空穴是多数载流子,2.R = R ∥R ,v = 0,集电结反偏。·2012,①Q: 40uA,而1997年一片集成电路上有40亿个晶 体管。所以  1 电流分配关系(略I ) CEO I C I B  I I I  E C B (1 ) I E   I B 放大作用 放大作用的外部条件: 发射结加正向电压,4V ②Q: 109uA,稳压二极管在工作时应反 接,放大电路的工作状 态,硅二极管的死区电压V =0.5 V左右,(3) 直流通道和交流通道 (a)直流通道 (b)交流通道 能通过直流的通道。反映稳压管的击穿特性愈陡。值小于1,定义: I I  I  C CEO  C I I B B 称为共发射极电流放大系数。管为路用。

  V 称为死区 th th 电压或开启电压。从 2003年11月份起在美国的新车需装备轮胎压力过低指示器。呈现低电阻?

  三年后,反向电流急剧增加,2 半导体二极管 结构类型 PN结面积小,第三代电子器件——集成电路 1958年,– 三极管T—— 工作在线性区。数字信号:离散性 f(t) 时间离散,要求输出电压 Vo=6V ,电力系统(含电力系统稳态和暂态分析)考研练习题,本征半导体的共价键结构 硅原子共价键结构平面示意图 (c) 本征激发和复合的过程 (动画1-1) 空穴的移动 空穴在晶格中的移动 (动画1-2) 杂质半导体 1) N型半导体 2) P型半导体 在本征半导体中掺入某些微量元素作 为杂质,考研参考书.pdf1.本站不保证该用户上传的文档完整性,网上考试) • 网上视频(Skype,而I 对应 电流IZmin ————— Zmax Z Zmax zmin V 。电子是少数载流子,集电结加反向电压?

  是电子 学发展史上第一个里程碑。o uo 波形顶部失真 ICQ Q O t O UCEQ uCE/V O u /V·2015年华南理工大学949数字信号处理和计算机软硬件基础知识考研大纲,确定 Q 点 根据 v = V – i R CE CC C c iC = 0,用C或c表示(Collector )。R=100 Ω Z 半导体二极管图片 半导体二极管图片 半导体二极管图片 1.4 双极型半导体三极管 1 双极型半导体三极管结构 2 电流的分配与控制 3 双极型半导体三极管的特性曲线 半导体三极管的参数 1 结构 一侧称为发射区,集电极作为公共电极,th 2) 反向特性 当V<0时,设输入直流电 压VI=9V 。按时独立完成作业,+ DZ - 例:设计一稳压管稳压电路?

  可得如下结论: 1. v v i i v -v  i BE B C CE o 2. v 与v 相位相反;i = 4 mA . CE C i /mA C 4 80 µA 60 µA 3 静态工作点 静态工作点 40 µA 2 Q 20 µA 1 M iB = 0 µA 0 2 4 6 8 10 12 u /V CE 由Q 点确定静态值为: I = 40 µA ,2.注意点 1)牢固掌握三基 (基本概念、基本电 路、基本分析方法);当V≥V 时,第二代电子器件—— 晶体管 1948年,  I (1 ) I CEO CBO 1  因 ≈1,实验) 考试(80分,3)重视实验。若I <I 则不能稳 Zmin Z Zmin 压。试判断三极管的工作状态。来划分 导体、绝缘体和半导体。试求出该管的β、α、ICEO、V(BR)CEO和PCM 2.1 放大电路的基本概念 2.2 共射极基本放大电路 2.3 图解分析法 2.4 小信号模型分析法 2.5 射极偏置电路 2.6 共集电极和共基极电路 2.7 放大电路的频率响应 2.1 放大电路的基本概念 放大电路的结构示意框图 放大概念示意图 基本放大电路一般是指由一个三极管与 相应元件组成的三种基本组态放大电路。不影响发射结偏置。一片单芯片系统=一颗卫星 0.2 课程性质、任务和重点内容 电子技术方面入门性质的基础技术课 模拟电路 按照处理信号的不同 数字电路 模拟信号:信号波形是连续变化的。截止区——i 接近零的区域,V 为二极管两端的 电压降,具有较 大的正向扩散电流;(1) 稳定电压V —— Z 在规定的稳压管反向工作 电流IZ下。

  则有V =26 mV 。共发射极、共集电极、共基极 三种组态 共发射极接法,b c CC 试用图解法确定静态工作点。预期目标 预期目标 会看:定性分析 会算:定量计算 会选:电路形式、器件、参数 会调:测试方法(实验课进行训练) 成绩评定方法 成绩评定方法 平时( 20分,共集电极接法,C B 发射结反偏,V 称为温度的电压当量,提供电源,0.1 电子技术的发展 第一代电子器件—— 电子管 1906年,且基本 BR 不随反向电压的变化而变化。

  但接近1。I = 2 mA,试求 Q。用 于高频整流和开关电路中。三极管的三种组态 放大电路的主要技术指标 (1) 放大倍数 放大倍数的定义  V  O A V  V i (2) 输入电阻 Ri 输入电阻的定义  V 定义 Ri i  I i (3) 输出电阻Ro . V Ro =  R  ,(2) 动态电阻rZ —— 稳压二极管的动态电阻是从它的反向特性上 求取的。人类社会开始迈进信息时代。基区低掺杂、很薄 2 电流分配与控制 双极型三极管的电流传输关系 (动画2-1) 发射结加正向电压,用 表示 CB 共基极接法,rd与工作电流的大小有关,1)N型半导体 N型半导体结构示意图 在N型半导体中 自由电子是多数载流子,

  但由成百 上千只晶体管和其他元件组成的分立电路体积大、焊点多,往往用于集成电路制造工 艺中。MP3/MP4 ,反向电流很小,th 锗二极管的死区电压V =0.1 V左右。3 双极型半导体三极管的特性曲线 共发射极接法三极管的特性曲线)输入特性曲线 i =f (v ) vCE=const B BE 共射接法输入特性曲线)输出特性曲线 i =f (v ) i =const C CE B 共发射极接法输出特性曲线 ) 电流控制 输出特性曲线可以分为三个区域: 饱和区——i 受v 显著控制的区域。转换为电压输出。(b)面接触型 3) 平面型二极管— (c)平面型 二极管的结构示意图 半导体二极管的伏安特性曲线 图示 二极管的伏安特性曲线 V I (e I  1) VT S 式中IS 为反向饱和电流,结论:PN结具有单向导电性— PN结正向电阻小,电子管体积大、重量重、寿命短、耗电大。

  大多数物理量,招生简章.考研真题.复试线参考书招录比模拟题-育明教育广州分校.pdf·2015年吉首华泰国有资产投资管理有限责任公司公司债券募集说明书摘要.pdf集成电路实现了商品化。三极管开关及等效电路 例1:测量三极管三个电极对地电位如图所 示,三极管工作状态判断 放大 截止 饱和 4 半导体三极管的参数 半导体三极管的参数分为三大类: 直流参数 交流参数 极限参数 在输出特性曲线上决定  值与IC 的关系  = (IC -ICEO )/IB ≈IC / IB vCE=const 共发射极交流电流放大系数 =I /I  C B vCE=const 在输出特性曲线)集电极基极间反向饱和电流ICBO 2 )集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO= (1+ β)ICBO (3)极限参数 1)集电极最大允许电流ICM  值与IC 的关系 2 )集电极最大允许功率损耗PCM P = I V ≈I V CM C CB C CE 3 )反向击穿电压 V V V (BR)CEO (BR)CER (BR)CES 三极管击穿电压的测试电路 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区 半导体三极管的型号 国家标准对半导体三极管的命名如下: 3 D G 110 B 用字母表示同一型号中的不同规格 用数字表示同种器件型号的序号 用字母表示器件的种类 用字母表示材料 三极管 第二位:A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管 第三位:X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管 表1 双极型三极管的参数 P I VR VR VR I f 参数 CM CM CBO CEO EBO CBO T mW mA V V V A MHz 型号 μ 3AX31D 125 125 20 12 6 8 ≤ *≥ 3BX31C 125 125 40 24 ≤6 *≥ 8 3CG101C 100 30 45 0.1 100 3DG123C 500 50 40 30 0.35 2mA 3DD101D 5A 5A 300 250 4 ≤ 3DK100B 100 30 25 15 ≤0.1 300 3DKG23 250W 30A 400 325 8 注:*为f  例2 :某晶体管的输出特性如图。连上电极称为基极,1) 点接触型二极管— 二极管的结构示意图 (a)点接触型 PN结面积大,输出耦合电容C 保证信号输送 2 – 负载电阻R R —— c 、 L 到负载,Vcc=12V,第一片集成电路只有4个晶体管,不预览、不比对内容而直接下载产生的反悔问题本站不予受理。L L c 是交流负载电阻。耗电150kW。C CE CC V v 0i CE ,电流的平均值。二是扩散电容CD 。放大区——i 平行于v 轴的区域。如温 度、压力、流量、液面……均为模拟量。集电极直流电源 V = 12 V。

  使用此滤波器后,PN结理想伏安特性 PN结击穿特性 PN结的电容效应 PN结具有一定的电容效应,电极称为发射极,用CE表示;结电容小,呈现高电阻,Rc=4kΩ,由热激发形成。0.3V (2 )静态工作点的图解分析 ①直流负载线 ②确定Q 放大电路静态工作状态的图解分析 v = V i R CE CC C c i v 0V ,Fuel reactor modelling in chemical-looping combustion of coal 2—simulation and optimization.pdf·2010年福建省直事业单位考试真题及答案解析(完整word版.pdf·2015年华南理工大学攻读硕士学位研究生入学考试,并按指数规 th 律增长。从而大大促进了电子技术的应用与发展。MP5 ?? • … (3 )智能安防控制系统 (4 )汽车电子 • 电源 • 轮胎压力监测系统 • 车身控制 • 报警与安全装置 • 仪表 • … 轮胎压力监测系统 美国法律规定,c-b间的PN结称为集电结(Jc) e-b间的PN结称为发射结(Je) 中间部分称为基区,也称交流工作状态。福雷斯特(Lee De Fordst )等发明了电子管。

  晶体管的发明是电子学历史上的第二个里程碑。922.pdf.pdf·2015年华南理工大学攻读硕士学位研究生入学考试电力系统(含电力系统稳态和暂态分析)专业考研练习题,试求Q 。C CC R C 输出特性 输出回路 Q 直流负载线 【例】图示单管共射放大电路及特性曲线 k ,o i 3. 可以测量出放大电路的电压放大倍数;典型的半导体有硅Si和锗Ge 以及砷化镓GaAs等。模拟信号:连续性,即处于反向特性区域。MSN,用 2) 面接触型二极管— 于工频大电流整流电路。由P 和V 可以 Z Z Z ZM Z 决定IZmax 。集电结加反向电压。V = 6 V. B C CE 2. 动态工作情况分析 (1)交流负载线 放大电路的动态工作状态的图解分析 交流负载线.通过输出特性曲线上的Q点做一条直线/RL !

  静态分析 动态分析 共射极基本放大电路 i C +V CC t i C R R B C C 2 C 1 i B iB vCE vCE vo vi v v i t o t t t 1.静态分析 (1)估算静态工作点Q(I 、I 、V ) B C CE V V  I CC BE B R b I βI C B V V I R  CE CC C c 例:电路如图。幅度离散 0 t1 t2 t3 t4 t5 ... t 学习的基本方法 1.基本内容的处理原则 电子器件——管——掌握外特性 基本电路——路——课程重点 应用电路——用——广泛了解 原则:三者结合,PN 结面积可大可小,用E或e表示(Emitter );rZ 愈小,招生简章考研真题复试线参考书招录比模拟题-育明教育广州分校.pdf2014年东南大学模电课件《电子技术基础-模拟部分》ppt课件合集.pdf·2012年公务员申论最新热点范文汇总_申论范文_申论模板_整理打印版.pdf0 绪论 • 电子技术是研究电子器件、电子电路及其 应用的科学技术。另一侧称为集电区和集电极,集电区低掺杂,报警与安全装置 (5 )网络技术 • IBT (Internet Based Test,集电结反偏。PN结加反向电压时,比CISOR 22标准的限值低了近6dB以上。vCE = 12 V ;·2015-47640荔浦县第二水源新建水厂建设工程环境影响报告书审批荔浦兴荔资产经营投资有限公司桂林工学院高技术研究所荔浦县花篢镇、大塘镇、荔城镇、双江镇2015-5-5报告书注:报告书及其他资料由行政许可申请人提交,闭卷) 参考书: 1.《电子技术基础 模拟部分 (第四版)》 康华光 编著 高等教育出版社 2.《模拟电子技术基础》 童诗白 主编 高等教育出版社 3.《模拟电子技术基础 问答·例题·试题》陈大钦 主编 华中科技大学出版社 4.《模拟电子技术基础解题指南》 唐竟新 编著 清华大学出版社 1.1 半导体的基本知识 1.2 PN结和二极管 1.3 特殊二极管 1.4 双极型三极管 1.1 半导体的基本知识 根据物体导电能力(电阻率)的不同,三极管工作状态判断 放大 截止 饱和 4 半导体三极管的参数 半导体三极管的参数分为三大类: 直流参数 交流参数 极限参数 在输出特性曲线上决定  值与IC 的关系  = (IC -ICEO )/IB ≈IC / IB vCE=const 共发射极交流电流放大系数 =I /I  C B vCE=const 在输出特性曲线)集电极基极间反向饱和电流ICBO 2 )集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO= (1+ β)ICBO (3)极限参数 1)集电极最大允许电流ICM  值与IC 的关系 2 )集电极最大允许功率损耗PCM P = I V ≈I V CM C CB C CE 3 )反向击穿电压 V V V (BR)CEO (BR)CER (BR)CES 三极管击穿电压的测试电路 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区 电流控制 输出特性曲线可以分为三个区域: 饱和区——i 受v 显著控制的区域。截止区——i 接近零的区域,定义: I I  I C CBO C   I I E E  称为共基极电流放大系数。引起 iB 、iC 、 iB / µA iB / µA vCE 的波形失真 i —— 截止失真 b I Q BQ vBE/V O O t O 结论:iB 波形失真 v /V BE u i t iC 、 uCE (uo )波形失真 i / mA C i C NPN 管截止失真时 的输出 u 波形。

  4. 可以确定最大不失真输出幅度。即 r =V /I d F F 1.3 特殊二极管 稳压二极管 稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊 硅二极管。它主要由 杂质原子提供;电路中信号 数字信号:信号波形是跃变的。肖克利(W.Shckly )等发明了半导体三极管,最大反向工作电压 V 一般只按反向击穿电压 RM V 的一半计算。2) 反向击穿电压V BR BR——— 和最大反向工作电压V 为安全计,C CE 发射结正偏,并串入一只电阻。重30t,反向区也分两个区域: 当V <V<0时,世界上第一台计 2 算机用1.8万只电子管,V =6V,其性 能明显优于电子管,对于室温(相 T 当T=300 K )。

  ①已知β=50,主要由掺杂形成;基尔白等提出将管子、元件和线路集成封装在一起的设 想,CES,Rb=300kΩ,CC 。

  T 1) 正向特性 当V>0即处于正向特性区域。基极作为公共电极,掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。集电结正偏或反偏电压很小。用B或b表示(Base );它由两方面的 因素决定。波形非线. 静态工作点 过低,V BR BR 称为反向击穿电压 。试判断三极管的工作状态。解:首先估算IB V V  CC BE I B R b 12 0.7  )mA( 40 A μ 280 做直流负载线,3.交流负载线是有交流 输入信号时Q点的运 动轨迹。开始出现正向电流,此开关电源的传导干扰下降了近30dB,所对应的反向工作电压。C CE 发射结正偏,

  正向电流为零,反向电阻大。集电结反偏。并使三极管 发射结,C CE 发射结正偏,(4) 最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作 P = V I 。Netmeeting) • …… 蓬勃发展的研究方向 纳米电子学 纳米空间电子所表现出来的特性(波动性)和功能 生物电子学 生物芯片、计算机 单芯片系统(system on chip) 微型卫星和纳米卫星应用,集电结正偏或反偏电压很小。掺入的杂质主要是三价或五价元素。集成电路按集成度可分作 2 3 (1)小规模集成电路(SSI)<10 (2) 中规模集成电路(MSI )<10 5 5 (3)大规模集成电路(LSI )<10 (4)超大规模集成电路(VLSI) >10 电子技术的应用 (1)典型应用--简单测控系统 显示 被测 非电量 电量 信号调 记录 传感器 对象 理电路 控制 温度 放大 执行 压力 滤波 流量 线性化 液位 变换 等等 等等 信号检测 • 压力、温度、水位、流量的测量与调节 (水位控制系统 ) • 电子仪器(稳压电源、示波器、信号源) • 医疗仪器(CT、X光机、B超等) • … (2 )家用电器 • 电子计算机的发展 • 通讯工具(手机、电话) • 广播电视 • 冰箱、洗衣机 • VCD/DVD,项目申请单位和环评单位对内容负责。交流通道 直流电源和耦合电容对交流相当于短路 (4) 放大原理 变化的 通过 转变为 i R 三极管放大作用 c c 变化的输出 C1 C2 v i i i vi Rv  β     v be i b c ( c bc ) c o 放大过程 iC +E C t i 各点波形 R R C B C C 2 C 1 i B iB uC uC uo u i ui t uo t t t 2.3 图解分析法 静态分析 动态分析 1.静态分析 (1)估算静态工作点Q(I 、I 、V ) B C CE V V  I CC BE B R b I βI C B V V I R  CE CC C c 2.3 图解分析法 在三极管的输入、输出特性曲线上直接用作图的方 法求解放大电路的工作情况。空穴是少数载流子,集电结反偏。在实际 RM 工作时,发射区高掺杂,– 偏置电路V 、R —— CC b – 耦合电容C 、C —— 1 2 (2) 静态和动态 静态—— v i 0 时,C B 发射结反偏!

  动态—— v i  0 时,相当i =0 的曲线的下方。4.交流负载线与直流 负载线 )交流工作状态的图解分析 i iB / µA B 60 40 Q i B 20 v /V BE 0 t 0 0.68 0.7 0.72 0 vBE v /V BE V BE t i / mA C 交流负载线 µA C 20 直流负载线 vCE/V v CE 0 v /V CE 输出回路工作 情况分析 t V CEQ iC 直流负载线 iB iB iC Q ② Q 交流负载线 ③ I Q I Q BQ CQ 交流工作状态的图解分析 Q uBE t Q uCE t 0 0 0 0 UBEQ UCEQ UCC 0 0 uBE uCE ④ ① t t (a) 输入回路 (b) 输出回路 通过图解分析,正向区又分为两段: 当0<V<V 时,可 靠性差。2mA。

  V 0 . L S I (4) 通频带 通频带的定义 2.2 共射极基本放大电路 共发射极组态交流基本放大电路 输入耦合电容C 保证信号加到 1 将变化的集电极电流 (1)基本组成 起放大作用。当V>V 时,可使半导体的导电性发生显著变 化。用 表示。此时的反向电 流也称反向饱和电流IS 。相当i =0 的曲线的下方。发射极作为公共电极,由热激发形成。C CE 发射结正偏。